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MJE370中文资料Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch数据手册Central规格书

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厂商型号

MJE370

功能描述

Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch

制造商

Central Central Semiconductor Corp

中文名称

美国中央半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 12:25:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :MJE370

  • 生产厂家

    :Central

  • Case

    :TO-126

  • Configuration/ Description

    :PNP General Purpose Amplifier/Switch

  • Polarity

    :PNP

  • IC MAX

    :3A

  • PD MAX

    :25W

  • VCEO MAX

    :30V

  • hFE MIN

    :25

  • hFE MAX

    :-

  • @VCE

    :1V

  • VCE(SAT) MAX

    :-

  • @IC

    :-

  • @IB

    :-

  • Cob TYP

    :-

  • Cob MAX

    :-

  • fT TYP

    :-

  • fT MIN

    :-

  • NF MAX

    :-

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