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MTP2955V	文件：116.6 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.230OHM TMOSV™PowerFieldEffectTransistor P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevi	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP2955V	文件：393.47 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallyforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsi.e.powersuppliesandpowermotorcontrols. TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithcomparableRDS(ON)specifications.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MTP2955V	文件：955.7 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTP2955V	文件：210.68 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP2955V	文件：301.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.23Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP2955VG	文件：210.68 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MZT2955	文件：186.88 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS WithexcellentSafeOperatingArea,idealforHi-FiAmplifierandSwitchingRegulatorApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
NDT2955	文件：92.02 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription This60VP-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’shighvoltageTrenchprocess. Ithasbeenoptimizedforpowermanagementplications. Applications •DC/DCconverter •Powermanagement	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDT2955	文件：128.389 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDT2955	文件：952.08 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
MJE2955TTU_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多MJE2955TTU_Q供应商更新时间2025-5-22 9:36:00

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