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NTD2955	文件：124.5 Kbytes Page：8 Pages	??0V,??2A,P?묬hannelDPAK PowerMOSFET−60V,−12A,P−ChannelDPAK ThisPowerMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Designedforlow−voltage,high−speedswitchingapplicationsinpowersupplies,converters,andpowermotorcontrols.Thesedevicesareparticularlywellsuite	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD2955	文件：112.72 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET??0V,??2A,P?묬hannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD2955	文件：388.34 Kbytes Page：6 Pages	-60VP-ChannelMOSFET Features AvalancheEnergySpecified IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature DesignedforLow−Voltage,High−SpeedSwitchingApplicationsand toWithstandHighEnergyintheAvalancheandCommutationModes RDS(on)150mΩ(VGS=-10V) VDS(V)=-60V ID=-12A(VGS=-10V)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
NTD2955	文件：260.2 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD2955	文件：747.7 Kbytes Page：4 Pages	P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=-60V,ID=-20A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
NTD2955G	文件：64.879 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD2955G	文件：119.07 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD2955G	文件：88.01 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD2955G	文件：124.5 Kbytes Page：8 Pages	??0V,??2A,P?묬hannelDPAK PowerMOSFET−60V,−12A,P−ChannelDPAK ThisPowerMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Designedforlow−voltage,high−speedswitchingapplicationsinpowersupplies,converters,andpowermotorcontrols.Thesedevicesareparticularlywellsuite	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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详细参数

型号：
MJE2955TTU_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多MJE2955TTU_Q供应商更新时间2025-5-27 20:00:00

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