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MJE2361T	文件：98.59 Kbytes Page：4 Pages	0.5 AMPERE POWER TRANSISTORS NPN SILICON 350 VOLTS 30 WATTS NPNSiliconHigh-VoltageTransistor ...usefulforgeneral–purpose,highvoltageapplicationsrequiringhighfT. •Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)=350Vdc(Min)@IC=2.5mAdc •DCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=100mAdc—MJE2361T •Current–Gain–BandwidthProduct—	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJE2361T	文件：84.35 Kbytes Page：2 Pages	POWER TRANSISTORS(0.5A,350V,30W) NPNSILICONHIGH-VOLTAGETRANSISTORS ...usefulforgeneral–purpose,highvoltageapplicationsrequiringhighfT. FEATURES: •Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)=350V(Min)@IC=2.5mA •DCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=100mA—MJE2361T •Current–Gain–BandwidthP	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
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MZ2361	文件：82.11 Kbytes Page：2 Pages	AXIALLEADDIODES STABISTORSAlsoTightTolerance(AXIALLEADDIODES)	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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