MJE2361T中文资料PDF规格书
MJE2361T规格书详情
NPN Silicon High-Voltage Transistor
. . . useful for general–purpose, high voltage applications requiring high fT.
• Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 350 Vdc (Min) @ IC = 2.5 mAdc
• DC Current Gain — hFE = 40 (Min) @ IC = 100 mAdc — MJE2361T
• Current–Gain–Bandwidth Product — fT = 10 MHz (Typ) @ IC = 50 mAdc
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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