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MJE13009G	文件：195.33 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Power Transistors SWITCHMODE™ Series NPN Silicon Power Transistors The MJE13009 is designed for high−voltage, high−speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE applications such as Switching Regulators, Inverters, Motor Controls, S 文件：195.33 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJE13009G	文件：148.43 Kbytes Page：10 Pages	12 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS ??100 WATTS 文件：148.43 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJE13009G-K-T3P-T	文件：445.95 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHMODE SERIES NPN SILICON POWER TRANSISTORS 文件：445.95 Kbytes 页数：9 Pages	UTC 友顺	UTC
MJE13009G-K-T3P-T	文件：440.32 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHMODE SERIES NPN SILICON POWER TRANSISTORS 文件：440.32 Kbytes 页数：9 Pages	UTC 友顺	UTC
MJE13009G-K-TA3-T	文件：445.95 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHMODE SERIES NPN SILICON POWER TRANSISTORS 文件：445.95 Kbytes 页数：9 Pages	UTC 友顺	UTC
MJE13009G-K-TA3-T	文件：440.32 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHMODE SERIES NPN SILICON POWER TRANSISTORS 文件：440.32 Kbytes 页数：9 Pages	UTC 友顺	UTC
MJE13009G-P-T3P-T	文件：424.72 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHMODE SERIES NPN SILICON POWER TRANSISTORS 文件：424.72 Kbytes 页数：9 Pages	UTC 友顺	UTC
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产品属性

产品编号：
MJE13009G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 3A，12A
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
8 @ 5A，5V
频率 - 跃迁：
4MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN 400V 12A TO220

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