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MJD50数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

MJD50

参数属性

MJD50 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 1A DPAK

功能描述

1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor
TRANS NPN 400V 1A DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 21:04:00

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MJD50规格书详情

描述 Description

The NPN Bipolar Power Transistor is designed for line operated audio output amplifier, SWITCHMODE power supply drivers and other switching applications.

特性 Features

• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)
• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (\"-1\" Suffix)
• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (\"T4\" Suffix)
• Electrically Similar to Popular TIP47, and TIP50
• 250 and 400 V (Min)VCEO(sus)
• 1 A Rated Collector Current
• NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant

简介

MJD50属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJD50晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MJD50

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :1

  • IC Cont. (A)

    :1

  • VCEO Min (V)

    :400

  • VCBO (V)

    :500

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :1.5

  • hFE Min

    :30

  • hFE Max

    :150

  • fT Min (MHz)

    :10

  • PTM Max (W)

    :15

  • Package Type

    :DPAK-3

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