MJD50数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
MJD50 |
参数属性 | MJD50 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 1A DPAK |
功能描述 | 1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 21:04:00 |
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MJD50规格书详情
描述 Description
The NPN Bipolar Power Transistor is designed for line operated audio output amplifier, SWITCHMODE power supply drivers and other switching applications.
特性 Features
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)
• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (\"-1\" Suffix)
• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (\"T4\" Suffix)
• Electrically Similar to Popular TIP47, and TIP50
• 250 and 400 V (Min)VCEO(sus)
• 1 A Rated Collector Current
• NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant
简介
MJD50属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJD50晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:MJD50
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- AEC Qualified
:A
- Halide free
:H
- PPAP Capablee
:P
- Status
:Active
- Polarity
:NPN
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:1
- IC Cont. (A)
:1
- VCEO Min (V)
:400
- VCBO (V)
:500
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:-
- VBE(on) (V)
:1.5
- hFE Min
:30
- hFE Max
:150
- fT Min (MHz)
:10
- PTM Max (W)
:15
- Package Type
:DPAK-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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