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MJD44H11T4-A	文件：215.43 Kbytes Page：8 Pages	Complementary power transistors MJD44H11T4-AMJD44H11-->NPN MJD45H11T4-AMJD45H11-->PNP Description Thedevicesaremanufacturedinlowvoltagemultiepitaxialplanartechnology.Theyareintendedforgeneralpurposelinearandswitchingapplications. Features ■Thedevicesarequalifiedforautomotiveapp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD44H11T4-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 8A DPAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD44H11T4G	文件：310.51 Kbytes Page：11 Pages	ComplementaryPowerTransistors Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationinPlasticSleeves (NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD44H11T4G	文件：132.18 Kbytes Page：9 Pages	ComplementaryPowerTransistors ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationin	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD44H11T4G	文件：114.33 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MJD44H11T4G	文件：192.88 Kbytes Page：6 Pages	SILICONPOWERTRANSISTORS Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. Features •Pb−FreePackagesareAvailable •LeadFormedforSurfaceMountApplicationinPlasticSleeves (NoSuffix) •Stra	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD44H11T4G	文件：97.32 Kbytes Page：9 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJB44H11T4G	文件：115.99 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJB44H11T4G	文件：184.81 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepower amplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesin applicationssuchasswitchingregulators,convertersandpower amplifiers. Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0V(Max)@8.0A •F	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MJD44H11T4-A
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 4A，1V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS NPN 80V 8A DPAK

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