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MJD44H11T4-A	文件：215.43 Kbytes Page：8 Pages	Complementary power transistors MJD44H11T4-AMJD44H11-->NPN MJD45H11T4-AMJD45H11-->PNP Description Thedevicesaremanufacturedinlowvoltagemultiepitaxialplanartechnology.Theyareintendedforgeneralpurposelinearandswitchingapplications. Features ■Thedevicesarequalifiedforautomotiveapp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
MJD44H11T4-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 8A DPAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
MJB44H11T4	文件：75.98 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistors ComplementaryPowerTransistors D2PAKforSurfaceMount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepoweramplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,convertersandpoweramplifiers. Features •LowCollector−EmitterSatu	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MJB44H11T4	文件：64.26 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MJB44H11T4	文件：412.51 Kbytes Page：11 Pages	LowvoltageNPNpowertransistor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
MJB44H11T4-A	文件：412.27 Kbytes Page：11 Pages	Automotive-gradelowvoltageNPNpowertransistor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
MJB44H11T4G	文件：184.81 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepower amplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesin applicationssuchasswitchingregulators,convertersandpower amplifiers. Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0V(Max)@8.0A •F	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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MJD44H11T4	文件：192.88 Kbytes Page：6 Pages	SILICONPOWERTRANSISTORS8AMPERES80VOLTS20WATTS ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications ...forgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. •LeadFormedforSurfaceMountApplicationinPlasticS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MJD44H11T4	文件：192.88 Kbytes Page：6 Pages	SILICONPOWERTRANSISTORS Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. Features •Pb−FreePackagesareAvailable •LeadFormedforSurfaceMountApplicationinPlasticSleeves (NoSuffix) •Stra	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MJD44H11T4	文件：217.1 Kbytes Page：8 Pages	Complementarypowertransistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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MJD44H11T4G	文件：310.51 Kbytes Page：11 Pages	ComplementaryPowerTransistors Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationinPlasticSleeves (NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NJVMJB44H11T4G	文件：184.81 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepower amplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesin applicationssuchasswitchingregulators,convertersandpower amplifiers. Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0V(Max)@8.0A •F	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

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产品属性

产品编号：
MJD44H11T4-A
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 4A，1V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS NPN 80V 8A DPAK

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