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MJD32CQ-13中文资料PDF规格书
厂商型号 |
MJD32CQ-13 |
参数属性 | MJD32CQ-13 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP 100V 3A TO252-3 |
功能描述 | 100V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN TO252 |
文件大小 |
315.53 Kbytes |
页面数量 |
7 页 |
生产厂商 | Diodes Incorporated |
企业简称 |
DIODES【达尔科技】 |
中文名称 | 达尔科技官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-17 9:38:00 |
MJD32CQ-13规格书详情
Description
This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications.
Features
• BVCEO > -100V
• IC = -3A high Continuous Collector Current
• ICM = -5A Peak Pulse Current
• Ideal for Power Switching or Amplification Applications
• Complementary NPN Type: MJD31CQ
• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
• PPAP Capable (Note 4)
产品属性
- 产品编号:
MJD32CQ-13
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.2V @ 375mA,3A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
10 @ 3A,4V
- 频率 - 跃迁:
3MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
TO-252-3
- 描述:
TRANS PNP 100V 3A TO252-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Diodes(美台) |
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