MJD32CQ分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MJD32CQ |
| 参数属性 | MJD32CQ 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 100V 3A TO252-3 |
| 功能描述 | 100V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN TO252 |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
315.53 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | Diodes Incorporated |
| 企业简称 |
DIODES |
| 中文名称 | Diodes Incorporated官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-22 23:00:00 |
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MJD32CQ规格书详情
Description
This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications.
Features
• BVCEO > -100V
• IC = -3A high Continuous Collector Current
• ICM = -5A Peak Pulse Current
• Ideal for Power Switching or Amplification Applications
• Complementary NPN Type: MJD31CQ
• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
• PPAP Capable (Note 4)
产品属性
- 产品编号：
MJD32CQ-13
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 375mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 3A，4V
- 频率 - 跃迁：
3MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
TO-252-3
- 描述：
TRANS PNP 100V 3A TO252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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