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MJD32CQ分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

MJD32CQ

参数属性

MJD32CQ 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 100V 3A TO252-3

功能描述

100V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN TO252
TRANS PNP 100V 3A TO252-3

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

315.53 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

DIODES

中文名称

美台半导体

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更新时间

2025-10-9 23:00:00

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MJD32CQ规格书详情

MJD32CQ属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美台半导体制造生产的MJD32CQ晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

描述 Description

This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications.

特性 Features

• BVCEO > -100V

• IC = -3A high Continuous Collector Current

• ICM = -5A Peak Pulse Current

• Ideal for Power Switching or Amplification Applications

• Complementary NPN Type: MJD31CQ

• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

• PPAP Capable (Note 4)

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MJD32CQ-13

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.2V @ 375mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 3A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    TO-252-3

  • 描述:

    TRANS PNP 100V 3A TO252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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