MJD32C-13分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MJD32C-13 |
| 参数属性 | MJD32C-13 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 100V 3A TO252-3 |
| 功能描述 | 100V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | TO-252 / TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
373.13 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | DIODES |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-8 20:00:00 |
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MJD32C-13规格书详情
MJD32C-13属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由美台半导体制造生产的MJD32C-13晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号：
MJD32C-13
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 375mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 3A，4V
- 频率 - 跃迁：
3MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
TO-252-3
- 描述：
TRANS PNP 100V 3A TO252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
2303 |
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DIODES |
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TO-252 |
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DIODES |
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TO252 |
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DIODES/美台 |
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DIODES/美台 |
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TO-252 |
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DIODES/美台 |
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DIODES(美台) |
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TO-252 |
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DIODES/美台 |
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TO-252 |
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原装正品，支持实单 |
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DIODES |
24+ |
N/A |
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