MJD32中文资料3 A,40 V,PNP 双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
MJD32 |
参数属性 | MJD32 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 100V 3A DPAK |
功能描述 | 3 A,40 V,PNP 双极功率晶体管 |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-28 9:04:00 |
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MJD32规格书详情
描述 Description
The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. The MJD31, MJD31C (NPN); and MJD32, MJD32C (PNP) are complementary devices.
特性 Features
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)
• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (\"T4G\" Suffix)
• Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP32 Series
• NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant
简介
MJD32属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJD32晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:MJD32
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- AEC Qualified
:A
- Halide free
:H
- PPAP Capablee
:P
- Status
:Active
- Polarity
:PNP
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:1.2
- IC Cont. (A)
:3
- VCEO Min (V)
:40
- VCBO (V)
:40
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:-
- VBE(on) (V)
:1.8
- hFE Min
:10
- hFE Max
:50
- fT Min (MHz)
:3
- PTM Max (W)
:15
- Package Type
:DPAK-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
1415+ |
TO-252(DPAK) |
28500 |
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24+ |
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SMD |
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