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MJD31C(TO-251)中文资料100V,3A,Medium Power NPN Bipolar Transistor数据手册Galaxy规格书

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厂商型号

MJD31C(TO-251)

功能描述

100V,3A,Medium Power NPN Bipolar Transistor

制造商

Galaxy CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

银河微电 常州银河世纪微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-28 10:07:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :MJD31C(TO-251)

  • 生产厂家

    :Galaxy

  • AEC Qualified

    :NO

  • Pb Free

    :YES

  • Halide free

    :YES

  • Reach

    :YES

  • RoHS

    :YES

  • Marketing Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • V(BR)CEO(V)min.

    :100

  • IC(A)

    :3

  • hFEmin.

    :15

  • hFEmax.

    :75

  • VCE (sat)(V)

    :1.2

  • IB(mA)

    :375

  • fT(MHz)min.

    :3

  • PD(W)max.

    :1.25

  • TJ(°C)max.

    :150

  • TJ(°C)min.

    :-65

  • ECCN(US)

    :EAR99

  • Category

    :双极型晶体管

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