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MJD31C中文资料3.0 A,100 V,NPN 双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

MJD31C

参数属性

MJD31C 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 3A DPAK

功能描述

3.0 A,100 V,NPN 双极功率晶体管

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 20:34:00

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MJD31C规格书详情

描述 Description

The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. The MJD31, MJD31C (NPN); and MJD32, MJD32C (PNP) are complementary devices.

特性 Features

• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)
• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (\"1G\"Suffix)
• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (\"T4G\" Suffix)
• Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP32 Series
• NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

技术参数

  • 制造商编号

    :MJD31C

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :1.2

  • IC Cont. (A)

    :3

  • VCEO Min (V)

    :100

  • VCBO (V)

    :100

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :1.8

  • hFE Min

    :10

  • hFE Max

    :50

  • fT Min (MHz)

    :3

  • PTM Max (W)

    :15

  • Package Type

    :DPAK INSERTION MOUNT

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