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MJE2955T	文件：85.06 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ...designedforuseingeneral-purposeamplifierandswitchingapplications FEATURES: PowerDissipation-PD=75W©Tc=25°C DCCurrentGainhFE=20-100©lc=4.0A *vCE(isrt)=1-1V(Max.)©lc=4.0A,IB=400mA	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MJE2955T	文件：882.29 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-220PlasticPackage.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MJE2955T	文件：47.25 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS PowerTransistors	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MJE2955T	文件：66.32 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltagePowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE2955T	文件：94.24 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJE2955T	文件：213.09 Kbytes Page：2 Pages	10AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJE2955TG	文件：143.95 Kbytes Page：4 Pages	ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors 10AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60VOLTS−75WATTS MJE2955T(PNP) MJE3055T(NPN) Thesedevicesaredesignedforuseingeneral−purposeamplifierandswitchingapplications. Features •DCCurrentGainSpecifiedto10A •HighCurrentGain−BandwidthProduct−fT=2.0MHz(Min	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE2955TPNP	文件：279.05 Kbytes Page：3 Pages	PLASTICPOWERTRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS WithexcellentSafeOperatingArea,idealforHi-FiAmplifierandSwitchingRegulatorApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
MJF2955	文件：156.43 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS MJF3055(NPN) MJF2955(PNP) COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS10AMPERES90VOLTS,30WATTS Specificallydesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. Features •IsolatedOvermoldPackage(1500VoltsRMSMin) •ElectricallySimilartothePopular	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJF2955	文件：156.43 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS10AMPERES90VOLTS30WATTS ComplementarySiliconPowerTransistors ...specificallydesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. •IsolatedOvermoldPackage(1500VoltsRMSMin) •ElectricallySimilartothePopularMJE3055TandMJE2955T •Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)90Volts	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

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产品属性

产品编号：
MJD2955G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
8V @ 3.3A，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
频率 - 跃迁：
2MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS PNP 60V 10A DPAK

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