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MJE2955T	文件：47.46 Kbytes Page：1 Pages	PNPPLANARSILICONTRANSISTOR(AUDIOPOWERAMPLIFIERDCTODCCONVERTER) GENERALDESCRIPTION Complementary,highpowertransistorsinaplasticenvelope,primarilyforuseinaudioandgeneralpurpose	WINGSWing Shing Computer Components 永盛电子永盛电子(香港)有限公司	WINGS
MJE2955T	文件：64.709 Kbytes Page：1 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARTRANSISTOR GENERALDESCRIPTION Complementary,highpowertransistorsinaplasticenvelope,primarilyforuseinaudioandgeneralpurpose	WINGSWing Shing Computer Components 永盛电子永盛电子(香港)有限公司	WINGS
MJE2955T	文件：37.22 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeandSwitchingApplications GeneralPurposeandSwitchingApplications •DCCurrentGainSpecifiedtoIC=10A •HighCurrentGainBandwidthProduct:fT=2MHz(Min.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJE2955T	文件：129.259 Kbytes Page：4 Pages	10AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60VOLTS75WATTS ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors ...designedforuseingeneral–purposeamplifierandswitchingapplications. •DCCurrentGainSpecifiedto10Amperes •HighCurrentGain—BandwidthProduct— fT=2.0MHz(Min)@IC=500mAdc	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJE2955T	文件：123.69 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(10A,60V,75W) COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS.	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
MJE2955T	文件：65.19 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION TheMJE3055Tisasiliconepitaxial-baseNPNtransistorinJedecTO-220package.Itisintendedforpowerswitchingcircuitsandgeneral-purposeamplifiers.ThecomplementaryPNPtypeisMJE2955T. ■SGS-THOMSONPREFERREDSALESTYPES ■COMPLEMENTARYPNP-NPNDEVICES	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJE2955T	文件：93.11 Kbytes Page：1 Pages	ComplementarySiliconPowerTtransistors DESCRIPTION Itisintentedforuseinpoweramplifierandswitchingapplications.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MJE2955T	文件：132.43 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220package ·ComplementtotypeMJE3055T ·DCcurrentgain-hFE=20–70@IC=-4Adc ·Collector–emittersaturationvoltage-VCE(sat)=-1.1Vdc(Max)@IC=-4Adc APPLICATIONS ·Designedforgeneral–purposeswitchingandamplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE2955T	文件：161.9 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGETRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MJE2955T	文件：279.05 Kbytes Page：3 Pages	PLASTICPOWERTRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS WithexcellentSafeOperatingArea,idealforHi-FiAmplifierandSwitchingRegulatorApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL

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产品属性

产品编号：
MJD2955G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
8V @ 3.3A，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
频率 - 跃迁：
2MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS PNP 60V 10A DPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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