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MJE2955	文件：1.35846 Mbytes Page：4 Pages	TO-220-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES GeneralPurposeandSwitchingApplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
MJE2955	文件：213.09 Kbytes Page：2 Pages	10AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJE2955A	文件：195.88 Kbytes Page：3 Pages	ComplementarySiliconpowertransistors(10A/60V/75W) DESCRIPTION TheMJE3055Aisasiliconepitaxial-baseplanarNPNtransistorinTO-220ABpackage. ltisintendedforuseingeneral-purposeamplifierandswitdingapplications. ThecomplementaryPNPtypeisMJE2955A. FEATURES ●Designedforgeneral-purposeswitchingandamplifierapplications.	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
MJE2955-G	文件：459.58 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistor Features -GeneralPurposeandSwitchingApplication	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
MJE2955T	文件：196.1 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. Pinning 1=Base 2=Collector 3=Emitter	DCCOM Dc Components	DCCOM
MJE2955T	文件：92.64 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistorsMJE2955T DESCRIPTION ·WithTO-220package ·ComplementtotypeMJE3055T ·DCcurrentgain-hFE=20–70@IC=-4Adc ·Collector–emittersaturationvoltage-VCE(sat)=-1.1Vdc(Max)@IC=-4Adc APPLICATIONS ·Designedforgeneral–purposeswitchingandamplifierapplications.	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJE2955T	文件：76.15 Kbytes Page：3 Pages	TO-220-PowerTransistorsandDarlingtons	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
MJE2955T	文件：93.74 Kbytes Page：2 Pages	HIGHVOLTAGETRANSISTOR HIGHVOLTAGETRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCMJE2955Tisdesignedforgeneralpurposeofamplifierandswitchingapplications.	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MJE2955T	文件：61.49 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPES ■COMPLEMENTARYPNP-NPNDEVICES DESCRIPTION TheMJE3055TisasiliconEpitaxial-BaseNPN transistorinJedecTO-220package.Itis intendedforpowerswitchingcircuitsand general-purposeamplifiers.Thecomplementary PNPtypeisMJE2955T.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJE2955T	文件：143.95 Kbytes Page：4 Pages	ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors 10AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60VOLTS−75WATTS MJE2955T(PNP) MJE3055T(NPN) Thesedevicesaredesignedforuseingeneral−purposeamplifierandswitchingapplications. Features •DCCurrentGainSpecifiedto10A •HighCurrentGain−BandwidthProduct−fT=2.0MHz(Min	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
MJD2955G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
8V @ 3.3A，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
频率 - 跃迁：
2MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS PNP 60V 10A DPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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