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MJD210数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

MJD210

参数属性

MJD210 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 25V 5A DPAK

功能描述

Bipolar Transistor

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

UTC Unisonic Technologies

中文名称

友顺 友顺科技股份有限公司

原厂标识
UTC
数据手册

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更新时间

2025-8-4 23:00:00

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MJD210规格书详情

描述 Description

The UTC MJD210 is designed for low voltage, low-power, high-gain audio amplifier applications.

特性 Features

• Collector-Emitter Sustaining Voltage
• VCEO(SUS) =-25V (Min) @ IC =-10mA
• High DC Current Gain
• hFE   =70 (Min) @ IC=-500mA
• =45 (Min) @ IC=-2A
• =10 (Min) @ IC=-5A
• Lead Formed for Surface Mount Applications in  
• Plastic Sleeves (No Suffix)
• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“-1” Suffix)
• Lead Formed Version in 16mm Tape and Reel (“T4” Suffix)
• Low Collector – Emitter Saturation Voltage
• VCE(SAT) = -0.3V (Max) @ IC =-500mA
• = -0.75V (Max) @ IC = -2.0 A
• High Current-Gain-Bandwidth Product
• fT = 65 MHz (Min) @ IC = -100 mA
• Annular Construction for Low Leakage
• ICBO = -100 nA @ Rated VCB

技术参数

  • 制造商编号

    :MJD210

  • 生产厂家

    :UTC

  • BVCEO(V)

    :-25

  • BVCBO(V)

    :-40

  • IC(A)

    :-5

  • HFE_MIN.

    :45

  • HFE_MAX.

    :180

  • HFEtest_IC(mA)

    :-2000

  • HFEtest_VCE(V)

    :-1

  • VCE(Sat)(V)MAX.

    :-0.3

  • VCE(Sat)test_IC(mA)

    :-500

  • VCE(Sat)test_Ib(mA)

    :-50

  • Package

    :TO-251_TO-252

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