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MJD127 TO-251数据手册Galaxy中文资料规格书

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厂商型号

MJD127 TO-251

功能描述

100V,8A,General Purpose PNP Bipolar Transistor

制造商

Galaxy Galaxy Power, Inc.

中文名称

银河微

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 13:01:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :MJD127 TO-251

  • 生产厂家

    :Galaxy

  • Pb Free

    :Yes

  • Halide free

    :Yes

  • Reach

    :Yes

  • RoHS

    :Yes

  • Marketing Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • V(BR)CEO(V)min.

    :100

  • IC(A)

    :8

  • hFEmin.

    :1000

  • hFEmax.

    :12000

  • VCE (sat)(V)

    :4

  • IB(mA)

    :80

  • PD(W)max.

    :1.5

  • TJ(°C)max.

    :150

  • TJ(°C)min.

    :-65

  • ECCN(US)

    :EAR99

  • PackageOutlines: TO-251

    :PackageOutlines: TO-251

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