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MJE200	文件：42.12 Kbytes Page：4 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Feature •LowCollector-EmitterSaturationVoltage •HighCurrentGainBandwidthProduct:fT=65MHz@IC=100mA(Min.) •ComplementtoMJE210	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJE200	文件：242.53 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •LowCollector–EmitterSaturationVoltage- •DCCurrentGain-BandwidthProduct •HighDCCurrentGain •ComplementtoMJE210 APPLICATIONS •Designedforlowvoltage,low-power,high-gainaudioamplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE200	文件：120.99 Kbytes Page：6 Pages	ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE200	文件：339.37 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMJE200,MJE210typesarecomplementarysilicontransistorsdesignedforhighgainamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MJE200	文件：811.73 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Features Lowcollector-emittersaturationvoltage,highcurrentgainbandwidthproduct,ComplementtoMJE210. Applications Designedforgeneralaudioamplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MJE200G	文件：120.99 Kbytes Page：6 Pages	ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE200G	文件：170.29 Kbytes Page：6 Pages	ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors Thesedevicesaredesignedforlowvoltage,low−power,high−gainaudioamplifierapplications. Features •HighDCCurrentGain •LowCollector−EmitterSaturationVoltage •HighCurrent−Gain−BandwidthProduct •AnnularConstructionforLowLeakage •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJS200	文件：89.01 Kbytes Page：2 Pages	LightningSurgeWithstandFuse	bel Bel Fuse Inc.	bel
MJS200-R	文件：1.44605 Mbytes Page：4 Pages	TYPEMJSLIGHTNINGSURGEWITHSTANDFUSE	bel Bel Fuse Inc.	bel
MK200	文件：430.33 Kbytes Page：2 Pages	TypeMKPrecisionPowerFilmRadial-LeadResistors	Caddock Caddock Electronics, Inc.	Caddock

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产品属性

产品编号：
MJD200G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.8V @ 1A，5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
45 @ 2A，1V
频率 - 跃迁：
65MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS NPN 25V 5A DPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MJD200G	onsemi(安森美)	24+	TO-252	959	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	MJD200G	onsemi	24+	TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	MJD200G	ON	23+	DPAK	56000		询价
深圳市坤融电子科技有限公司	MJD200G	ON/安森美	24+	DPAK	20000	只做原厂渠道可追溯货源	询价
海芯未来半导体电子（深圳）有限公司	MJD200G	ON	24+	DPAK	14950		询价
深圳市汇莱威科技有限公司	MJD200G	ON/安森美	24+	TO-252	505348	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	MJD200G	ON	23+	TO252	12335		询价
深圳市博浩通科技有限公司	MJD200G	ON	23+	DPAK	7750	全新原装优势	询价
深圳市一线半导体有限公司	MJD200G	ON	24+	DPAK4LEADSingleG	8866		询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	MJD200G	ON	23+	DPAK	5000	原装正品,假一罚十	询价

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