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MJ450	文件：212.95 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Low Saturation Voltage- : VCE(sat) =-1V@IC=-10Adc • DC Current Gain- : hFE=20(Min)@ IC=-10A APPLICATIONS • Designed for high-current switching and general purpose amplifier applications. 文件：212.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJ4502	文件：110.54 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Complement to type MJ802 • Excellent safe operating area APPLICATIONS • For use as an output device in complementary audio amplifiers to 100-Watts music power per channel 文件：110.54 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
MJ4502	文件：134.19 Kbytes Page：4 Pages	High-Power PNP Silicon Transistor High-Power PNP Silicon Transistor This transistor is for use as an output device in complementary audio amplifiers to 100−Watts music power per channel. Features • High DC Current Gain − hFE = 25−100 @ IC = 7.5 A • Excellent Safe Operating Area • Complement to the NPN MJ802 • Pb−Free Package 文件：134.19 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJ4502	文件：54.14 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistors Power Transistors TO-3 Case (Continued) 文件：54.14 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
MJ4502	文件：101.42 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(30A,100V,200W) 30 AMPERE POWER TRANSISTOR PNP SILICON 100 VOLTS 200 WATTS 文件：101.42 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
MJ4502	文件：119.57 Kbytes Page：4 Pages	30 AMPERE POWER TRANSISTOR PNP SILICON 100 VOLTS 200 WATTS High-Power PNP Silicon Transistor . . . for use as an output device in complementary audio amplifiers to 100−Watts music power per channel. Features • High DC Current Gain − hFE = 25−100 @ IC = 7.5 A • Excellent Safe Operating Area • Complement to the NPN MJ802 文件：119.57 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MJ4502	文件：129.03 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Complement to type MJ802 • Excellent safe operating area APPLICATIONS • For use as an output device in complementary audio amplifiers to 100-Watts music power per channel 文件：129.03 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJ4502	文件：277.89 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARY HIGH POWER TRANSISTORS DESCRIPTION The MJ802 (NPN) and MJ4502 (PNP) are silicon epitaxial-base complementary power transistors in Jedec TO-3 metal case, intended for general purpose power amplifier and switching applications. 文件：277.89 Kbytes 页数：5 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
MJ4502G	文件：134.19 Kbytes Page：4 Pages	High-Power PNP Silicon Transistor High-Power PNP Silicon Transistor This transistor is for use as an output device in complementary audio amplifiers to 100−Watts music power per channel. Features • High DC Current Gain − hFE = 25−100 @ IC = 7.5 A • Excellent Safe Operating Area • Complement to the NPN MJ802 • Pb−Free Package 文件：134.19 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJ4502	文件：112.12 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：112.12 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

晶体管资料

型号：
MJ450
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
30A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
2N4398,2N4399,3CK109B,
最大耗散功率：
150W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
40
htest：
999900
atest：
30
wtest：
150

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.8
IC Cont. (A)：
30
VCEO Min (V)：
90
VCBO (V)：
100
VEBO (V)：
4
VBE(sat) (V)：
1.3
VBE(on) (V)：
1.3
hFE Min：
25
hFE Max：
100
fT Min (MHz)：
2
PTM Max (W)：
200
Package Type：
TO-204-2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	MJ450	MOT	24+	TO-3	10000		询价
深圳市弘为电子有限公司	MJ450	MOT/ON	24+	TO-3	2000	原装现货假一罚十	询价
深圳市昊创电子有限公司	MJ450	MOT/ON	专业铁帽	TO-3	2000	原装铁帽专营,代理渠道量大可订货	询价
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	MJ4502	ST	23+	TO-3	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	MJ4502	MOT	25+	TO-3	400	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
芯有半导体（深圳）有限公司	MJ4502	MOT	05+	原厂原装	5151	只做全新原装真实现货供应	询价
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更多MJ450供应商更新时间2026-1-17 13:31:00

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