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MJ13334	文件：83.24 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHMODE SERIES NPN SILICON TRANSISTORS SWITCHMODE SERIES NPN SILICON TRANSISTORS …designed for high-voltage, high-speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical , They are particularly suited for line operated switchmode applications such as: * Switching Regulators * Inverters * Solenoid and relay drivers 文件：83.24 Kbytes 页数：2 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
MJ13334	文件：278.04 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 450V(Min) • High Switching Speed APPLICATIONS • Designed for high-voltage ,high-speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for line operated switchmode applications. • 文件：278.04 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJ13334	文件：84.2 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 450V(Min) • High Switching Speed APPLICATIONS • Designed for high-voltage ,high-speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for line operated switchmode applications. • 文件：84.2 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MJ13335	文件：83.24 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHMODE SERIES NPN SILICON TRANSISTORS SWITCHMODE SERIES NPN SILICON TRANSISTORS …designed for high-voltage, high-speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical , They are particularly suited for line operated switchmode applications such as: * Switching Regulators * Inverters * Solenoid and relay drivers 文件：83.24 Kbytes 页数：2 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
MJ13335	文件：278.03 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage-: VCEO(SUS) = 500V(Min) ·High Switching Speed APPLICATIONS ·Designed for high-voltage ,high-speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are partic ularly suited for line operated switchmode applicati 文件：278.03 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJ13330	文件：131.53 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTORS 文件：131.53 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MJ13331	文件：131.53 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTORS 文件：131.53 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MJ13335	文件：41.09 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTORS 文件：41.09 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MJ13335	文件：71.67 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTORS 文件：71.67 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
MJ13333	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTORS	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

VCBO(V)：
800
VCEO(V)：
500
PD(W)：
175
PACKAGE：
TO-3
NPN：
MJ13335
HFE(Min/Max)：
10/60
IC/VCE(A/V)：
5.0/5.0
VCE(SAT)(V)：
1.8
IC / IB(A/mA)：
10/2A

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