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MJ11022G

Complementary Darlington Silicon Power Transistors

Complementary Darlington Silicon Power Transistors are designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and motor control applications. Features • High dc Current Gain @ 10 Adc − hFE = 400 Min (All Types) • Collector−Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) = 250 Vdc (Min)

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ONSEMI

安森美半导体

MJ11022G

Complementary Darlington Silicon Power Transistors

文件:78.9 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJ11022G

Complementary Darlington Silicon Power Transistors

文件:132.66 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJ11022G

Package:TO-204AA,TO-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 250V 15A TO204

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MJ11022

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3.4V @ 150mA,15A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    400 @ 10A,5V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-204(TO-3)

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 250V 15A TO204

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MJ11022供应商 更新时间2025-10-8 14:02:00