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MJ11022G	文件：229.8 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Darlington Silicon Power Transistors ComplementaryDarlingtonSiliconPowerTransistorsaredesigned foruseasgeneralpurposeamplifiers,lowfrequencyswitchingand motorcontrolapplications. Features •HighdcCurrentGain@10Adc−hFE=400Min(AllTypes) •Collector−EmitterSustainingVoltage VCEO(sus)=250Vdc(Min)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MJ11022G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-204AA，TO-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 250V 15A TO204	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJH11022	文件：86.19 Kbytes Page：6 Pages	15AMPEREDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS150??50VOLTS,150WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJH11022	文件：193.81 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ComplementaryDarlingtonSiliconPowerTransistors Thesedevicesaredesignedforuseasgeneralpurposeamplifiers,lowfrequencyswitchingandmotorcontrolapplications. Features •HighDCCurrentGain@10Adc—hFE=400Min(AllTypes) •Collector−EmitterSustainingVoltage VCEO(sus)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJH11022	文件：212.01 Kbytes Page：6 Pages	15AMPEREDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS150,200,250VOLTS150WATTS 15AMPEREDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJH11022	文件：100.88 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonSiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJH11022	文件：313.62 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterSustainingVoltage :VCEO(SUS)=250V(Min.) ·HighDCCurrentGain :hFE=400(Min.)@IC=10A ·LowCollectorSaturationVoltage :VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=5.0A ·ComplementtoTypeMJH11021 ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandrelia	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJH11022G	文件：100.88 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonSiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MJ11022G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3.4V @ 150mA，15A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
400 @ 10A，5V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-204（TO-3）
描述：
TRANS NPN DARL 250V 15A TO204

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