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MJ11021G	文件：246.96 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO=-250V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):-3.4V(Max) @IC=-15A APPLICATIONS · Low current high speed switching applications · Low power audio amplifier 文件：246.96 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJ11021G	文件：229.8 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Darlington Silicon Power Transistors Complementary Darlington Silicon Power Transistors are designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and motor control applications. Features • High dc Current Gain @ 10 Adc − hFE = 400 Min (All Types) • Collector−Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) = 250 Vdc (Min) 文件：229.8 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJ11021_05	文件：78.9 Kbytes Page：5 Pages	Complementary Darlington Silicon Power Transistors 文件：78.9 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJ11021_08	文件：132.66 Kbytes Page：5 Pages	Complementary Darlington Silicon Power Transistors 文件：132.66 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJ11021G	文件：132.66 Kbytes Page：5 Pages	Complementary Darlington Silicon Power Transistors 文件：132.66 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJ11021G	文件：78.9 Kbytes Page：5 Pages	Complementary Darlington Silicon Power Transistors 文件：78.9 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJ11021G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-204AA，TO-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 250V 15A TO204	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MJ11021
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
托盘
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3.4V @ 150mA，15A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
400 @ 10A，5V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-204（TO-3）
描述：
TRANS PNP DARL 250V 15A TO204

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更多MJ11021供应商更新时间2025-10-10 15:54:00

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