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MJ11016G	文件：121.43 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Complementary Silicon Transistors 文件：121.43 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJ11016G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans Darlington NPN 120V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray	NJS 新泽西半导体	NJS
MJ11016G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-204AA，TO-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 120V 30A TO204	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJ11016NPN	文件：176.82 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTORS 文件：176.82 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
PS11016	文件：408.3 Kbytes Page：6 Pages	FLAT-BASE TYPE INSULATED TYPE INTEGRATED FUNCTIONS AND FEATURES • 3-phase IGBT inverter bridge configured by the latest 3rd. generation IGBT and diode technologies. • Circuit for dynamic braking of motor regenerative energy INTEGRATED DRIVE, PROTECTION AND SYSTEM CONTROL FUNCTIONS: • For P-Side IGBTs : Drive circuit, High 文件：408.3 Kbytes 页数：6 Pages	POWEREX	POWEREX
PS11016	文件：415.19 Kbytes Page：6 Pages	Acoustic noise-less 2.2kW/AC200V class 3 phase inverter and other motor control applications INTEGRATED FUNCTIONS AND FEATURES • 3-phase IGBT inverter bridge configured by the latest 3rd. generation IGBT and diode technologies. • Circuit for dynamic braking of motor regenerative energy. INTEGRATED DRIVE, PROTECTION AND SYSTEM CONTROL FUNCTIONS: • For P-Side IGBTs : Drive circuit, High 文件：415.19 Kbytes 页数：6 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI

产品属性

产品编号：
MJ11016G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
4V @ 300mA，30A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 20A，5V
频率 - 跃迁：
4MHz
工作温度：
-55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-204（TO-3）
描述：
TRANS NPN DARL 120V 30A TO204

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