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MJ10025	文件：205.65 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(20A,750-850V,250W) SWITCHMODE SERIES NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS WITH BASE-EMITTER SPEEDUP DIODE The MJ10024 and MJ10025 dartington transistors are designed for high-voltage, high-speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for line oper -ated 文件：205.65 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
MJ10025	文件：122.94 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR SWITCHMODE SERIES NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS WITH BASE-EMITTER SPEEDUP DIODE The MJ10024 and MJ10025 dartington transistors are designed for high-voltage, high-speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for line oper -ated 文件：122.94 Kbytes 页数：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MJ10025	文件：300 bytes Page：1 Pages	250W NPN Darlington BJT Transistor This BJT is packaged in TO-3 package.\n\n Available as High Reliability device per MIL-PRF-19500 indicate –HR suffix after the part number. Contact for -HR flow. Add \"PBF\" suffix for Pb-free lead finish.	Digitron	Digitron
SSB-COB10025GW	文件：52.85 Kbytes Page：1 Pages	100mm x 25mm VIEW AREA, CHIP ON BOARD LED BACKLIGHT, 72 CHIPS, 565mm GREEN, 4.2V 360mA 文件：52.85 Kbytes 页数：1 Pages	LUMEX	LUMEX
SSB-COB10025GW	文件：52.85 Kbytes Page：1 Pages	100mm x 25mm VIEW AREA, CHIP ON BOARD LED BACKLIGHT, 565NM green 文件：52.85 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
SSB-COB10025GW-A	文件：52.1 Kbytes Page：1 Pages	100mm x 25mm VIEW AREA, CHIP ON BOARD LED BACKLIGHT, 40 CHIPS, 565mm GREEN, 4.2V 200mA 文件：52.1 Kbytes 页数：1 Pages	LUMEX	LUMEX

晶体管资料

型号：
MJ10025
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
SMPS
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
1200V
最大电流允许值：
20A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
最大耗散功率：
250W
放大倍数：
β>50
图片代号：
E-44
vtest：
1200
htest：
999900
atest：
20
wtest：
250

详细参数

型号：
MJ10025
制造商：
Solid State Devices Inc(SSDI)
功能描述：
DARLINGTON TRANSISTOR NPN 850V TO-3
制造商：
SOLID STATE
功能描述：
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 850V, TO-3
功能描述：
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 850V, TO-3; Transistor
Polarity：
NPN; Collector Emitter Voltage
V(br)ceo：
850V; Power Dissipation
Pd：
250W; DC Collector
Current：
20A; DC Current Gain
hFE：
50; Operating Temperature
Min：
-65C; No. of
Pins：
2 ;RoHS
Compliant：
Yes

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