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MJ10023	文件：202.77 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(40A,350-400V,250W) SWITCHMODESERIES NPNSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORWITHBASE-EMITTERSPEEDUPDIODE	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
MJ10023	文件：300.65 Kbytes Page：8 Pages	40 AMPERE NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS 350 AND 400 VOLTS 250 WATTS SWITCHMODESeries NPNSiliconPowerDarlingtonTransistorwithBase-EmitterSpeedupDiode TheMJ10023andMJ10023Darlingtontransistorisdesignedforhigh–voltage,high–speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Itisparticularlysuitedforline–operatedswitchm	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJ10023	文件：216.25 Kbytes Page：8 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR SWITCHMODE™Series NPNSiliconPowerDarlingtonTransistorwithBase-EmitterSpeedupDiode TheMJ10023Darlingtontransistorisdesignedforhigh–voltage,high–speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Itisparticularlysuitedforline–operatedswitchmodeapplica	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJ10023	文件：189.15 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Power Darlington Transistor GENERALDESCRIPTION Daringtontransistoraredesignedforuseasgeneralpurposeamplifiers,switchingandmotorcontrolapplications.	WINGSWing Shing Computer Components 永盛电子永盛电子(香港)有限公司	WINGS
MJ10023	文件：54.14 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistors PowerTransistors TO-3Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MJ10023	文件：811.2 Kbytes Page：2 Pages	250WATT NPN TYPE SILICON DARLINGTON TRANSISTORS Features ※ReversedBiasedSOAwithInductiveLoads ※SwitchingTimeswithInductiveLoads ※SaturationVoltages ※LeakageCurrents ※FastTurn–OffTimes Application ※SwitchingRegulators ※ACandDCMotorControls ※Inverters,SolenoidandRelayDrivers MechanicalData ※Case:TO-3meta	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MJ10023	文件：285.04 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION •WithTO-3packaging •VeryhighDCcurrentgain •Fastturn-offtimes •Monolithicdarlingtontransistorwithintegrated antiparallelcollector-emitterdiode •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Electronic	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJ10023	文件：102.06 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Power Darlington Transistors with Base-Emitter Speedup Diode	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

详细参数

型号：
MJ10023
制造商：
NTE Electronics
功能描述：
TRANSISTOR
制造商：
Solid State Devices Inc(SSDI)
功能描述：
TRANSISTOR DARLING NPN 400V TO-3
制造商：
SOLID STATE
功能描述：
TRANSISTOR, DARLING, NPN, 400V, TO-3
功能描述：
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V, TO-3; Transistor
Polarity：
NPN; Collector Emitter Voltage
V(br)ceo：
400V; Power Dissipation
Pd：
250W; DC Collector
Current：
40A; DC Current Gain
hFE：
50; Operating Temperature
Min：
-65C; No. of
Pins：
2 ;RoHS
Compliant：
Yes
功能描述：
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 400V, TO-3; Transistor
hFE：
600; Operating Temperature

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