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MIEB101H1200EH

Full Bridge IGBT Modules

·Vces: 600V and 1200V. Ic(25): 45A - 165A\n·NPT or NPT³ IGBT with low Vce(sat), low switching losses, high RBSOA and short circuit ruggedness\n·short tail current for optimized performance in resonant circuits\n·Hiperfast diodes with soft recovery\n·Package with insulated copper base plate (2500V r;

Littelfuse

力特

MIEB101H1200EH

IGBT Module H Bridge

文件:451.22 Kbytes 页数:8 Pages

IXYS

艾赛斯

MIEB101H1200EH

Package:E3;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述:IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3

IXYS

艾赛斯

MIG150Q6CMB1X

IGBT

MIG25Q901H

原装

产品属性

  • 产品编号:

    MIEB101H1200EH

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    托盘

  • 配置:

    全桥反相器

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,100A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    E3

  • 供应商器件封装:

    E3

  • 描述:

    IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MIEB101H1200EH供应商 更新时间2026-2-9 8:01:00