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MIEB101H1200EH分立半导体产品晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MIEB101H1200EH |
| 参数属性 | MIEB101H1200EH 封装/外壳为E3；包装为托盘；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块；产品描述：IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3 |
| 功能描述 | IGBT Module H Bridge |
| 文件大小 |
451.22 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | IXYS Integrated Circuits Division |
| 企业简称 |
IXYS |
| 中文名称 | IXYS Integrated Circuits Division官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-10 13:33:00 |
MIEB101H1200EH规格书详情
MIEB101H1200EH属于分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的MIEB101H1200EH晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
产品属性
- 产品编号：
MIEB101H1200EH
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装：
托盘
- 配置：
全桥反相器
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，100A
- 输入：
标准
- NTC 热敏电阻：
无
- 工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
E3
- 供应商器件封装：
E3
- 描述：
IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
2305+ |
原厂封装 |
5000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83273508邹小姐 |
询价 | ||
IXYS |
19+/20+ |
E3 |
1000 |
主打产品价格优惠.全新原装正品 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
询价 | ||
23+ |
N/A |
78000 |
一级代理放心采购 |
询价 | |||
IXYS/艾赛斯 |
MODULE |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
IXYS |
23+ |
N/A |
12500 |
IXYS全系列在售 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
MODULE |
98000 |
询价 | ||||
MANMIX |
22+ |
DIPSIP |
90000 |
全新原装正品/价格优势 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
E3 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
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询价 |
