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MIC4427BMM-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOP	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
AN4427	文件：1.13772 Mbytes Page：19 Pages	Gasketdesignforoptimalacousticperformance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
AO4427	文件：997.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •LoadSwitches -NotebookPCs -DesktopPCs	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4427	文件：142.48 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4427usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatechargewitha25Vgaterating.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.ThedeviceisESDprotected.StandardProductAO4427isPb-free(meetsROHS&	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4427	文件：1.69995 Mbytes Page：4 Pages	30VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAO4427usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatechargewitha25Vgaterating.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.ThedeviceisESDprotected. ProductSummary VDS(V)=-30V I	WHXPCBshenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd 万和兴电子深圳万和兴电子有限公司	WHXPCB
AO4427	文件：1.50179 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-12.5A(VGS=-20V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4427	文件：174.72 Kbytes Page：4 Pages	30VP-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4427-HF	文件：1.48065 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-12.5A(VGS=-20V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4427L	文件：142.48 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4427usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatechargewitha25Vgaterating.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.ThedeviceisESDprotected.StandardProductAO4427isPb-free(meetsROHS&	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AP4427GM	文件：202.9 Kbytes Page：5 Pages	SimpleDriveRequirement,FastSwitchingCharacteristic BVDSS35V RDS(ON)6.6mΩ ID16A Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheSO-8packageiswidelypreferredforallcommercial-industrialsurface	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
APM4427K	文件：115.44 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-30V/-4A, RDS(ON)=85mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=140mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDensityCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBat	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM4427KC-TR	文件：115.44 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-30V/-4A, RDS(ON)=85mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=140mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDensityCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBat	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM4427KC-TRL	文件：115.44 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-30V/-4A, RDS(ON)=85mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=140mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDensityCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBat	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM4427KC-TU	文件：115.44 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-30V/-4A, RDS(ON)=85mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=140mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDensityCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBat	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM4427KC-TUL	文件：115.44 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-30V/-4A, RDS(ON)=85mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=140mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDensityCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBat	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
AS4427P	文件：56.62 Kbytes Page：4 Pages	1.5ADualHighSpeedMOSFETDrivers	Calogic Calogic, LLC	Calogic
AS4427S	文件：56.62 Kbytes Page：4 Pages	1.5ADualHighSpeedMOSFETDrivers	Calogic Calogic, LLC	Calogic
AUIRS4427S	文件：492.86 Kbytes Page：16 Pages	Matchedpropagationdelayforbothchannels	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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AUIRS4427S	文件：492.86 Kbytes Page：16 Pages	DUALLOWSIDEDRIVER	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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产品属性

产品编号：
MIC4427BMM-TR
制造商：
Microchip Technology
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
低端
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4.5V ~ 18V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.4V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.5A，1.5A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
20ns，29ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
供应商器件封装：
8-MSOP
描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MIC4427BMM-TR供应商更新时间2024-5-22 10:02:00

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