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MJD148	文件：220.69 Kbytes Page：10 Pages	45V,4ANPNhighpowerbipolartransistor 1.Generaldescription NPNhighpowerbipolartransistorinapowerDPAK,TO-252(SOT428C)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •Electricallysimilartopopul	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
MJD148	文件：279.09 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=45V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.5V(Max)@IC=2A APPLICATIONS ·Designedforuseingeneralpurposeampliferandlow Speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD148-Q	文件：222.91 Kbytes Page：10 Pages	45V,4ANPNhighpowerbipolartransistor Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •ElectricallysimilartopopularMJD148series •Lowcollectoremittersaturationvoltage •Fastswitchingspeeds •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuse	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
MJD148-QJ	文件：222.91 Kbytes Page：10 Pages	45V,4ANPNhighpowerbipolartransistor Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •ElectricallysimilartopopularMJD148series •Lowcollectoremittersaturationvoltage •Fastswitchingspeeds •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuse	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
MRF148	文件：169.68 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSLINEARRFPOWERFET	MACOMTyco Electronics 玛科姆技术方案控股有限公司	MACOM
MRF148	文件：144.93 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSLINEARRFPOWERFET TheRFMOSFETLineRFPowerField-EffectTransistorN-ChannelEnhancement-Mode Designedforpoweramplifierapplicationsinindustrial,commercialandamateurradioequipmentto175MHz. •SuperiorHighOrderIMD •Specified50Volts,30MHzCharacteristics OutputPower=30Watts Pow	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MRF148	文件：95.99 Kbytes Page：2 Pages	RFPowerField-EffectTransistor TheRFMOSFETLineRFPowerField-EffectTransistorN-ChannelEnhancement-Mode Designedforpoweramplifierapplicationsinindustrial,commercialandamateurradioequipmentto175MHz. •SuperiorHighOrderIMD •Specified50Volts,30MHzCharacteristics OutputPower=30Watts Power	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MRF148A	文件：285.74 Kbytes Page：7 Pages	LinearRFPowerFET30W,to175MHz,50V Designedforpoweramplifierapplicationsinindustrial,commercialandamateurradioequipmentto175MHz. •SuperiorhighorderIMD IMD(d3)(30WPEP):–35dB(Typ.) IMD(d11)(30WPEP):–60dB(Typ.) •Specified50V,30MHzcharacteristics: Outputpower:30W Gain:18dB(Typ.)	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MRF148A	文件：42.93 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelEnhancementModeVHFPOWERMOSFET DESCRIPTION: TheASIMRF148AisDesignedforGeneralPurposeClassBPowerAmplifierApplicationsupto175MHz. FEATURES: •PG=15dBTyp.at30W/175MHz •ηD=50Typ.at30W/30MHz •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
MRF148A	文件：84.36 Kbytes Page：2 Pages	Designedforpoweramplifierapplicationsinindustrial Designedforpoweramplifierapplicationsinindustrial,commercialandamateurradioequipmentto175MHz. •SuperiorhighorderIMD IMD(d3)(SOWPEP):-35dB(Typ.) IMD(d11)(30WPEP):-60dB(Typ.) •Specified50V,30MHzcharacteristics: Outputpower:SOW Gain:18dB(Typ.)	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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