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MJD148-QJ	文件：222.91 Kbytes Page：10 Pages	45 V, 4 A NPN high power bipolar transistor Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •ElectricallysimilartopopularMJD148series •Lowcollectoremittersaturationvoltage •Fastswitchingspeeds •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuse	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
MJD148-QJ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 45V 4A DPAK	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
MRF148	文件：169.68 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSLINEARRFPOWERFET	MACOMTyco Electronics 玛科姆技术方案控股有限公司	MACOM
MRF148	文件：144.93 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSLINEARRFPOWERFET TheRFMOSFETLineRFPowerField-EffectTransistorN-ChannelEnhancement-Mode Designedforpoweramplifierapplicationsinindustrial,commercialandamateurradioequipmentto175MHz. •SuperiorHighOrderIMD •Specified50Volts,30MHzCharacteristics OutputPower=30Watts Pow	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MRF148	文件：95.99 Kbytes Page：2 Pages	RFPowerField-EffectTransistor TheRFMOSFETLineRFPowerField-EffectTransistorN-ChannelEnhancement-Mode Designedforpoweramplifierapplicationsinindustrial,commercialandamateurradioequipmentto175MHz. •SuperiorHighOrderIMD •Specified50Volts,30MHzCharacteristics OutputPower=30Watts Power	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MRF148A	文件：285.74 Kbytes Page：7 Pages	LinearRFPowerFET30W,to175MHz,50V Designedforpoweramplifierapplicationsinindustrial,commercialandamateurradioequipmentto175MHz. •SuperiorhighorderIMD IMD(d3)(30WPEP):–35dB(Typ.) IMD(d11)(30WPEP):–60dB(Typ.) •Specified50V,30MHzcharacteristics: Outputpower:30W Gain:18dB(Typ.)	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MRF148A	文件：42.93 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelEnhancementModeVHFPOWERMOSFET DESCRIPTION: TheASIMRF148AisDesignedforGeneralPurposeClassBPowerAmplifierApplicationsupto175MHz. FEATURES: •PG=15dBTyp.at30W/175MHz •ηD=50Typ.at30W/30MHz •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
MRF148A	文件：84.36 Kbytes Page：2 Pages	Designedforpoweramplifierapplicationsinindustrial Designedforpoweramplifierapplicationsinindustrial,commercialandamateurradioequipmentto175MHz. •SuperiorhighorderIMD IMD(d3)(SOWPEP):-35dB(Typ.) IMD(d11)(30WPEP):-60dB(Typ.) •Specified50V,30MHzcharacteristics: Outputpower:SOW Gain:18dB(Typ.)	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MRF148A	文件：285.74 Kbytes Page：7 Pages	LinearRFPowerFET30W,to175MHz,50V	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MUR148	文件：56.23 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG

产品属性

产品编号：
MJD148-QJ
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
85 @ 500mA，1V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS NPN 45V 4A DPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MJD148-QJ	Nexperia(安世)	24+	TO-252	2669	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
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更多MJD148-QJ供应商更新时间2025-5-29 13:30:00

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