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MJD200	文件：302.22 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=25V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.3V(Max)@IC=0.5A APPLICATIONS ·Designedforuseingeneralpurposeampliferandlow Speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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