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MGP15N40CLG

IGBT 440V 15A 150W TO220AB

ONSEMI

安森美半导体

MGP15N40CLG

Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK

文件:91.6 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MGP15N40CLG

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 440V 15A 150W TO220AB

ONSEMI

安森美半导体

MTH15N40

N-Channel Enhancement Mode silicon Gate TMOS

TMOS POWER FETs 15 AMPERES rDS(on) = 0.3 OHM 350 and 400 VOLTS N-Channel Enhancement Mode silicon Gate TMOS

文件:500.87 Kbytes 页数:5 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

MTH15N40

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=15A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 400V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.3Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:316.36 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

MTIYI15N40

Maximum Lead Temp

文件:89.99 Kbytes 页数:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    MGP15N40CLG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.9V @ 4V,25A

  • 输入类型:

    逻辑

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    -/4µs

  • 测试条件:

    300V,6.5A,1 千欧

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    IGBT 440V 15A 150W TO220AB

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更多MGP15N40CLG供应商 更新时间2026-2-9 22:59:00