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MGF65A4L	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT(FRD内置) MGF65A4L是650V Field Stop型的垂直沟道工艺的IGBT。\n采用了独特的垂直构造减少了寄生容量，既实现低饱和压降，又减少了开关损耗。\nIGBT的低损耗可以实现整机设备的高效率。・低饱和电压\n・高速开关\n・内置FRD\n・符合RoHS指令;	Sanken 三垦	Sanken
MGF65A4L	文件：796.41 Kbytes Page：15 Pages	Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode 文件：796.41 Kbytes 页数：15 Pages	Sanken 三垦	Sanken
MGF65A4R	文件：730.49 Kbytes Page：15 Pages	VCE = 650 V, IC = 40 A Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode Description The KGF65A4H, MGF65A4H, and FGF65A4H are 650 V Field Stop IGBTs. Sanken original trench structure decreases gate capacitance, and achieves high speed switching and switching loss reduction. Thus, these Field Stop IGBTs can improve the efficiency of your circuit. Features ● Lo 文件：730.49 Kbytes 页数：15 Pages	Sanken 三垦	Sanken
FGF65A4H	文件：769.1 Kbytes Page：15 Pages	Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode 文件：769.1 Kbytes 页数：15 Pages	Sanken 三垦	Sanken
FGF65A4H	文件：769.1 Kbytes Page：15 Pages	Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode 文件：769.1 Kbytes 页数：15 Pages	Sanken 三垦	Sanken
FGF65A4H	文件：730.49 Kbytes Page：15 Pages	VCE = 650 V, IC = 40 A Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode Description The KGF65A4H, MGF65A4H, and FGF65A4H are 650 V Field Stop IGBTs. Sanken original trench structure decreases gate capacitance, and achieves high speed switching and switching loss reduction. Thus, these Field Stop IGBTs can improve the efficiency of your circuit. Features ● Lo 文件：730.49 Kbytes 页数：15 Pages	Sanken 三垦	Sanken

技术参数

二极管内置：
YES
VCE：
650V
IC(Tc=100℃)：
40A
PD：
288W
VCE(sat)(typ)：
1.6V
VF(typ)：
1.7V
trr(typ)：
60ns

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更多MGF65A4L供应商更新时间2025-11-24 14:20:00

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