MGF0912A中文资料High-power GaAs FET (small signal gain stage)数据手册MinebeaMitsumi规格书
MGF0912A规格书详情
描述 Description
DESCRIPTION
The MGF0912A, GaAs FET with an N-channel schottky gate, is designed for use in L/S band amplifiers.FEATURES
High output power
Po=41.5dBm(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=33dBm
High power gain
Gp=10.5dB(TYP.) @f=1.9GHz
High power added efficiency
P.A.E =38%(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=33dBm
Hermetic PackageAPPLICATION
For L/S Band power amplifiers
特性 Features
High output power
Po=41.5dBm(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=33dBm
High power gain
Gp=10.5dB(TYP.) @f=1.9GHz
High power added efficiency
P.A.E =38%(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=33dBm
Hermetic PackageAPPLICATION
For L/S Band power amplifiers
技术参数
- 型号：
MGF0912A
- 制造商：
MITSUBISHI
- 制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
- 功能描述：
High-power GaAs FET(small signal gain stage)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MITSUBISHI |
25+ |
SOP-16 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
MITSUBISH |
20+ |
GF-50 |
29516 |
高频管全新原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
MITSUBISHI三菱/RENESAS瑞 |
24+ |
SMD |
6762 |
新进库存/原装 |
询价 | ||
Mitsubishi Electric (三菱) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
MITSUBI |
17+ |
GF-50 |
60000 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
MITSUBISH |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
原厂 |
25+ |
原装正品 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
M/A-COM |
24+ |
SMD |
5000 |
M/A-COM专营品牌绝对进口原装假一赔十 |
询价 | ||
MITSUBISHI |
23+ |
QFN |
5680 |
原厂原装 |
询价 |
