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MGD623N	文件：233.52 Kbytes Page：10 Pages	IGBT SANKEN IGBT FGT313, FGT312, FGT412, FGT612, FGM622S, FGM603, FGM623S, MGD623N, MGD623S 文件：233.52 Kbytes 页数：10 Pages	SANKEN 三垦	SANKEN
MGD623N	文件：175.58 Kbytes Page：4 Pages	Selection Guide SANKEN IGBT FGT313, FGT312, FGT412, FGT612, FGM622S, FGM603, FGM623S, MGD623N, MGD623S 文件：175.58 Kbytes 页数：4 Pages	SANKEN 三垦	SANKEN
MGD623N	文件：233.96 Kbytes Page：10 Pages	IGBT 文件：233.96 Kbytes 页数：10 Pages	SANKEN 三垦	SANKEN
MGD623N	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT(FRD内置) MGD623N是600V Trench型IGBT。采用了独特的垂直构造减少了寄生容量，既实现低饱和压降，又减少了开关损耗。\nIGBT的低损耗可以实现整机设备的高效率。・低饱和电压\n・高速开关\n・内置FRD\n・端子部无铅（符合RoHS指令）;	Sanken 三垦	Sanken
MGD623N	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3 整包；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 50A 150W TO3P	SANKEN 三垦	SANKEN

产品属性

产品编号：
MGD623N
制造商：
Sanken
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，50A
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
75ns/300ns
测试条件：
300V，50A，39 欧姆，15V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3 整包
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
IGBT 600V 50A 150W TO3P

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