MGD623N分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
MGD623N |
参数属性 | MGD623N 封装/外壳为TO-3P-3 整包;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 50A 150W TO3P |
功能描述 | IGBT |
封装外壳 | TO-3P-3 整包 |
文件大小 |
233.96 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | Sanken electric |
企业简称 |
SANKEN【三垦】 |
中文名称 | 三垦电气株式会社官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-24 22:59:00 |
人工找货 | MGD623N价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
MGD623N规格书详情
MGD623N属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由三垦电气株式会社制造生产的MGD623N晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号:
MGD623N
- 制造商:
Sanken
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
卷带(TR)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.3V @ 15V,50A
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
75ns/300ns
- 测试条件:
300V,50A,39 欧姆,15V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-3P-3 整包
- 供应商器件封装:
TO-3P
- 描述:
IGBT 600V 50A 150W TO3P
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SANKEN |
24+ |
NA/ |
4270 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
SANKEN/三垦 |
25+ |
TO-3P |
54687 |
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询价 | ||
SANKEN |
18+ |
TO247 |
85600 |
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询价 | ||
SANKEN |
25+ |
TO-3P |
880000 |
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询价 | ||
SANKEN |
23+ |
TO-3P |
18000 |
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SANKEN |
25+23+ |
TO-247 |
27721 |
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SANKEN |
21+ |
TO-220F |
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SANKEN |
22+ |
TO3P |
162169 |
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询价 | ||
SANKEN/三垦 |
24+ |
TO-247 |
22055 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
Sanken |
22+ |
TO3P |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |