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MGD623N分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

MGD623N
厂商型号

MGD623N

参数属性

MGD623N 封装/外壳为TO-3P-3 整包;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 50A 150W TO3P

功能描述

IGBT
IGBT 600V 50A 150W TO3P

封装外壳

TO-3P-3 整包

文件大小

233.96 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Sanken electric
企业简称

SANKEN三垦

中文名称

三垦电气株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 22:59:00

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MGD623N规格书详情

MGD623N属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由三垦电气株式会社制造生产的MGD623N晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MGD623N

  • 制造商:

    Sanken

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,50A

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    75ns/300ns

  • 测试条件:

    300V,50A,39 欧姆,15V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 600V 50A 150W TO3P

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