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MI-220-MX	文件：724.13 Kbytes Page：1 Pages	50-100WATTSMILITARYCOTSDC/DCCONVERTER 50-100WATTSMILITARYCOTSDC/DCCONVERTER Features •28VdcInputsperMIL-STD-704D/E/F •155VdcInputsperMIL-STD-1399A •270VdcInputsperMIL-STD-704D/E/F •MIL-STD-810environments •OVPandThermalshutdown •Powerboostersforhigherpower •LownoiseFMcontrol	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
MI-220-MY	文件：724.13 Kbytes Page：1 Pages	50-100WATTSMILITARYCOTSDC/DCCONVERTER 50-100WATTSMILITARYCOTSDC/DCCONVERTER Features •28VdcInputsperMIL-STD-704D/E/F •155VdcInputsperMIL-STD-1399A •270VdcInputsperMIL-STD-704D/E/F •MIL-STD-810environments •OVPandThermalshutdown •Powerboostersforhigherpower •LownoiseFMcontrol	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
MICRF220	文件：639.07 Kbytes Page：18 Pages	300MHzto450MHz,3.3VASK/OOKReceiverwithRSSIandSquelch GeneralDescription TheMICRF220isa300MHzto450MHzsuperheterodyne,image-reject,RFreceiverwithautomaticgaincontrol,ASK/OOKdemodulator,analogRSSIoutput,andintegratedsquelchfeatures.Itonlyrequiresacrystalandaminimumnumberofexternalcomponentstoimplement.TheMICRF	MicrelMicrel Semiconductor 麦瑞半导体	Micrel
MICRF220AYQS	文件：639.07 Kbytes Page：18 Pages	300MHzto450MHz,3.3VASK/OOKReceiverwithRSSIandSquelch GeneralDescription TheMICRF220isa300MHzto450MHzsuperheterodyne,image-reject,RFreceiverwithautomaticgaincontrol,ASK/OOKdemodulator,analogRSSIoutput,andintegratedsquelchfeatures.Itonlyrequiresacrystalandaminimumnumberofexternalcomponentstoimplement.TheMICRF	MicrelMicrel Semiconductor 麦瑞半导体	Micrel
MICRF220AYQS	文件：747.5 Kbytes Page：20 Pages	300MHzto450MHz,3.3VASK/OOKReceiverwithRSSIandSquelch	MicrelMicrel Semiconductor 麦瑞半导体	Micrel
MIOe-220	文件：1.81192 Mbytes Page：1 Pages	4xRS232/422/485,2xRS422/485,8-bitGPIO	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
MIOe-220	文件：691.63 Kbytes Page：2 Pages	MI/OExtensionModules	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
MIRA220	文件：629.1 Kbytes Page：9 Pages	1/2.7”2.2MPNIREnhancedGlobalShutterImage Description Mira220isa2.2MPNIRenhancedglobalshutterimagesensorwithasmall2.79μmpixelsize.Ithas excellentlowlightsensitivitymadepossiblebyastate-of-the-artstackedBSItechnology.Withan effectiveresolutionof1600×1400andamaximumbitdepthof12bits,thesensor	AMSCOams AG 艾迈斯欧司朗艾迈斯欧司朗股份公司	AMSCO
MIRA220	文件：954.85 Kbytes Page：11 Pages	1/2.7”2.2MPNIREnhancedGlobalShutterImage Features ●1/2.7” ●1600x1400 ●8/10/12-bit ●2.79μm 90fpsglobalshutterwithCDS Highsensitivity Smalldiesizeachievedviastate-of-the-artstacked BSItechnology ClassleadingQEat940nmcombinedwithhigh sensitivity.IndustryleadingPLSat940nm DigitalCDSandrownoisec	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
MJE220	文件：73.87 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMJE220seriestypesareNPNsiliconpowertransistors,manufacturedbytheepitaxial-baseprocess,designedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

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