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BB135	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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BD135	文件：69.95 Kbytes Page：1 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. FEATURES •HighCurrent.(Max.:1.5A) •LowVoltage(Max.:45V) •DCCurrentGain:hFE=40Min.@IC=0.15A •ComplementarytoBD136.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BD135	文件：42.47 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor Thisseriesofplastic,medium−powersiliconNPNtransistorsaredesignedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD135	文件：357.96 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistorsNPNSilicon45,60,80Volts Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •DCCurrentGain-hFE=40(Min)@IC=150mAdc •ComplementarywithBD136,BD138,BD140	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BD135	文件：235.37 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBD135,BD137,andBD139areNPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorsdesignedforaudioamplifierandswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BD135	文件：131.19 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •Highcurrent •ComplementtotypeBD136/138/140 APPLICATIONS •Driverstagesinhigh-fidelityamplifiers andtelevisioncircuits	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD135	文件：1.11352 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighCurrent ●ComplementToBD136,BD138AndBD140	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BD135	文件：235.81 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ◾HighCurrent(1.5A) ◾LowVoltage(80V)	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN

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产品属性

产品编号：
MF-R135
制造商：
Bourns Inc.
类别：
电路保护 > PTC 可复位保险丝
系列：
Multifuse®, MF-R
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
类型：
聚合物
电压 - 最大值：
30V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向，圆片式
大小 / 尺寸：
0.350" 直径 x 0.118" 高（8.90mm x 3.00mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.744"（18.90mm）
引线间距：
0.201"（5.10mm）
描述：
PTC RESET FUSE 30V 1.35A RADIAL

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