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BCR135	文件：490.89 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit driver circuit • Built in bias resistor (R1=10kΩ, R2=47kΩ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 文件：490.89 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR135	文件：51.02 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit) NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=10kΩ, R2=47kΩ) 文件：51.02 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BCR135	文件：1.32097 Mbytes Page：4 Pages	Digital Transistor Features \| «pts plane ci construction \| © Builtin biasing resistors (Rs: 10kQ, Re: 47k0) \| «Aso avalabe in ea fee version \| © RoHS compliant with Halogen-free \| 文件：1.32097 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
BCR135	文件：211.2 Kbytes Page：12 Pages	NPN Silicon Digital Transistor 文件：211.2 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR135	文件：300 bytes Page：1 Pages	AF 数字晶体管 NPN硅数字晶体管 • 开关电路、逆变器、接口电路驱动电路\n• BCR135S：两个内部隔离的晶体管，在一个多芯片封装中具有良好的匹配性\n• 无铅（符合 RoHS 标准）封装\n• 符合 AEC Q101 要求;	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR135E6327	文件：873.4 Kbytes Page：11 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit driver circuit • Built in bias resistor (R1=10 kΩ, R2=47 kΩ) • BCR135S: Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package • BCR135S: For orientation in reel see package 文件：873.4 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR135F	文件：490.89 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit driver circuit • Built in bias resistor (R1=10kΩ, R2=47kΩ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 文件：490.89 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR135L3	文件：490.89 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit driver circuit • Built in bias resistor (R1=10kΩ, R2=47kΩ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 文件：490.89 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR135S	文件：490.89 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit driver circuit • Built in bias resistor (R1=10kΩ, R2=47kΩ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 文件：490.89 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR135T	文件：490.89 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit driver circuit • Built in bias resistor (R1=10kΩ, R2=47kΩ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 文件：490.89 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

晶体管资料

型号：
BCR135
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
DTC114YK,KSR1106,RN1407,2SC4047,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

hFEmin：
70
ICBOmax：
100 nA
Ptotmax：
200 mW
R1 / R2：
0.21
R1：
10 kΩ
R2：
47 kΩ
VCBOmax：
50 V
VCE(sat)max：
0.3 V
VCEOmax：
50 V
VEBOmax：
6 V
Vi (off) max：
1 100µA / 5V
Vi (on)max：
1 V
Vi (on)min：
0.5 2mA / 0.3V
Mounting：
SMT
Polarity：
NPN (Single)

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