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MEM4X16E43VTW-5	文件：598.34 Kbytes Page：9 Pages	4MEGx16EDODRAM [MEMPHIS] GENERALDESCRIPTION The4Megx16DRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydevicecontaining67,108,864bitsanddesignedtooperatefrom3Vto3.6V.Thedeviceisfunctionallyorganizedas4,194,304locationscontaining16bitseach.The4,194,304memorylocationsare	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

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MEM4X16E43VTW-5

文件：598.34 Kbytes

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4MEGx16EDODRAM

[MEMPHIS] GENERALDESCRIPTION The4Megx16DRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydevicecontaining67,108,864bitsanddesignedtooperatefrom3Vto3.6V.Thedeviceisfunctionallyorganizedas4,194,304locationscontaining16bitseach.The4,194,304memorylocationsare

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