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NCE2301C	文件：465.18 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE2301D	文件：287.58 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE2301D	文件：465.42 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE2301E	文件：336.71 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE2301E	文件：465.17 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE2301F	文件：266.56 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE2301Fusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas1.8V.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications. GeneralFeatures ●VDS=-20V,ID=-2A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE2301F	文件：465.3 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NEL2301	文件：225.85 Kbytes Page：7 Pages	CLASSA2.3GHZ15VOLTPOWERTRANSISTOR DESCRIPTIONANDAPPLICATIONS ThisL-bandlinearpowertransistorseriesincorporatesaPt-Si/Ti/Pt/Aumetallizationsystem,emitterballastingandsiliconnitridepassivationforperformanceandreliability.Avarietyofhermeticpackagesandaplasticpackageareavailableforwidebandamplifier	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NH2301	文件：3.46421 Mbytes Page：8 Pages	P-CHANNELENHANCEMENT-MODEMOSFETS	NIUHANGDongguan City Niuhang Electronics Co.LTD 纽航电子广东纽航电子科技有限公司	NIUHANG
NJ2301	文件：1.46628 Mbytes Page：5 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS Features TrenchFETPowerMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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