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ME35N10

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件:984.26 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

ME35N10

MOSFET

Force mos

力士科技

RFH35N10

POWER MOS FIELD - EFFECT TRANSISTORS N - CHANNEL ENHANCEMENT - MODE POWER FIELD - EFFECT TRANSISTORS

文件:217.02 Kbytes 页数:4 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

RFH35N10

Power MOS Field-Effect Transistors

文件:86.22 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

RFH35N10

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 35A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 55mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

文件:319.21 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

技术参数

  • Type:

    N

  • Schottky:

    No

  • ESD(KV):

    N

  • Appication:

    load switch

  • VDS(V):

    100.0

  • Vgs(V):

    20

  • Ids(A):

    28.0

  • Pd(W):

    27.0

  • Vgs(th)max(V):

    3.0

  • Qg(nC)(4.5V):

    54.0

  • Qgs(nC):

    16.0

  • Qgd(nC):

    20.0

  • Ciss(pF):

    4400.0

  • Crss(pF):

    233.0

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更多ME35N10供应商 更新时间2026-3-3 14:02:00