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ME25N10T	文件：937.51 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：937.51 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
ME25N10T	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Force mos 力士科技	Force mos
MTH25N10	文件：292.54 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 25A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 75mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：292.54 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MTM25N10	文件：169.94 Kbytes Page：5 Pages	POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：169.94 Kbytes 页数：5 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MTM25N10	文件：91.31 Kbytes Page：2 Pages	Power Field Effect Transistor 文件：91.31 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

技术参数

Type：
N
Schottky：
No
ESD(KV)：
N
Appication：
load switch
VDS(V)：
100.0
Vgs(V)：
20
Ids(A)：
24.0
Pd(W)：
100.0
Vgs(th)max(V)：
3.0
Qg(nC)(4.5V)：
17.0
Qgs(nC)：
4.0
Qgd(nC)：
9.0
Ciss(pF)：
712.0
Crss(pF)：
63.0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ME25N10T供应商更新时间2025-10-5 14:02:00

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