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ME25N10T	文件：937.51 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTH25N10	文件：292.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=75mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTM25N10	文件：282.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=75mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTM25N10	文件：91.31 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTM25N10	文件：169.94 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP25N10	文件：300.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=85mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NCEAP25N10AD	文件：762.38 Kbytes Page：6 Pages	NCEAutomotiveN-ChannelSuperTrenchIIPowerMOSFET Description TheNCEAP25N10ADusesSuperTrenchIItechnologythatis uniquelyoptimizedtoprovidethemostefficienthighfrequency switchingperformance.Bothconductionandswitchingpower lossesareminimizedduetoanextremelylowcombinationof RDS(ON)andQg.Thisdeviceisidealfor	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCEAP25N10AG	文件：728.63 Kbytes Page：6 Pages	NCEAutomotiveN-ChannelSuperTrenchIIPowerMOSFET Description TheNCEAP25N10AGusesSuperTrenchIItechnologythatis uniquelyoptimizedtoprovidethemostefficienthighfrequency switchingperformance.Bothconductionandswitchingpower lossesareminimizedduetoanextremelylowcombinationof RDS(ON)andQg.Thisdeviceisidealfor	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCEAP25N10AK	文件：750.98 Kbytes Page：7 Pages	NCEAutomotiveN-ChannelSuperTrenchIIPowerMOSFET Description TheNCEAP25N10AKusesSuperTrenchIItechnologythatis uniquelyoptimizedtoprovidethemostefficienthighfrequency switchingperformance.Bothconductionandswitchingpower lossesareminimizedduetoanextremelylowcombinationof RDS(ON)andQg.Thisdeviceisidealfor	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
PJD25N10A	文件：411.69 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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易创佳业科技（深圳）有限公司	ME25N10T	MATSUKI	23+	TO-220	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	ME25N10T	MATSUKI	2022+	TO-220	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	ME25N10T	MATSUKI	20+	TO-220	32500	现货很近!原厂很远!只做原装	询价
深圳市赛芯源科技有限公司	ME25N10T-G	松木Matsuki	18+	TO-220	41200	原装正品,现货特价	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	ME25N10T-G	MATSUKI	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	ME25N10T-G	MATSUKI	24+	NA/	17817	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
深圳市博中泰实业有限公司	ME25N10T-G	MATSUKI	24+	TO-220	60000	全新原装现货	询价
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