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MTM25N10	文件：282.08 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 25A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 75mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：282.08 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MTM25N10	文件：91.31 Kbytes Page：2 Pages	Power Field Effect Transistor 文件：91.31 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MTM25N10	文件：169.94 Kbytes Page：5 Pages	POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：169.94 Kbytes 页数：5 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MTM25N10	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SMini3-G1 T/R	NJS	NJS

技术参数

Minimum Operating Temperature：
-55°C
Maximum Power Dissipation：
500mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Gate Source Voltage：
±10V
Maximum Drain Source Voltage：
20V
Maximum Continuous Drain Current：
3A
Material：
Si
Configuration：
Single
Channel Type：
P
Channel Mode：
Enhancement
Category：
Small Signal

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MTM25N10供应商更新时间2026-1-25 15:30:00

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