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9N60	文件：63.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor DESCRITION ·Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. FEATURES ·DrainCurrent–ID=8.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.0Ω(Max) ·AvalancheEnergySpecified ·FastSwitching ·SimpleD	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BLV9N60	文件：374.44 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET	ESTEKEstek Electronics Co. Ltd 伊泰克电子北京伊泰克电子有限公司	ESTEK
FB9N60A	文件：135.44 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=600V,Rds(on)=0.75ohm,Id=9.2A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpower	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
FCD9N60N	文件：784.87 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCD9N60NTM	文件：353.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=385mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCD9N60NTM	文件：784.87 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCP9N60N	文件：336.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=385mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCP9N60N	文件：911.95 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.385廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCPF9N60NT	文件：911.95 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.385廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCPF9N60NT	文件：323.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=385mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCPF9N60NT	文件：651.06 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelSupreMOS짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFB9N60	文件：135.44 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=600V,Rds(on)=0.75ohm,Id=9.2A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpower	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFB9N60A	文件：135.44 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=600V,Rds(on)=0.75ohm,Id=9.2A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpower	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFB9N60A	文件：329.36 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB9N60A	文件：302.95 Kbytes Page：9 Pages	Switchmodepowersupply	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFB9N60A	文件：331.87 Kbytes Page：21 Pages	IRPLLNR5WideRangeInputLinearFluorescentBallast	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFB9N60A	文件：303.68 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFB9N60APBF	文件：160.96 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits •LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications •SwitchModePowerSupply(SMPS) •UninterruptablePowerSupply •Highspeedpowersw	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFS9N60A	文件：165.8 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgresultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •Uninterruptib	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFS9N60A	文件：322.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=0.75Ω(MAX) •Enhancementmode: Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=0.25mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	MDL9N60IC	MAGNACHIP/美格纳	23+	TO-262	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳廊盛科技有限公司	MDL9N60IC	MAGNACHIP/美格纳	2022	TO-262	80000	原装现货,OEM渠道,欢迎咨询	询价
深圳市鼎欣微电子有限公司	MDL9N60TH	MAGNACHIP/美格纳	21+	TO262	19000	只做正品原装现货	询价
深圳市晨豪科技有限公司	MDL9N60TH	MAGNACHIP/美格纳	23+	TO-262	89630	当天发货全新原装现货	询价
深圳市易讯博科技有限公司	MDL-9-R	Eaton	22+	NA	168	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	MDLA	GAMEWELL-FCI	23+	NA	39960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市兴灿科技有限公司	MDL-ACIM	TI	23+	原厂封装	28500	授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	MDL-ACIM	TI	22+	LM3S818	20000	绝对原装现货	询价
深圳市宏世佳电子科技有限公司	MDL-ACIM	TI	2023+	开发套件	612	全新原厂原装产品、公司现货销售	询价
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