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MDF6N65B

N-Channel MOSFET 650V, 6.0A, 1.45ohm

文件:789.69 Kbytes 页数:6 Pages

MGCHIP

MDF6N65BTH

650V N-Ch MOSFET

MagnaChip

美格纳

MDI6N65B

N-Channel MOSFET 650V, 5.7A, 1.45(ohm)

文件:935.49 Kbytes 页数:6 Pages

MGCHIP

MDI6N65BTH

N-Channel MOSFET 650V, 5.7A, 1.45(ohm)

文件:935.49 Kbytes 页数:6 Pages

MGCHIP

MDI6N65BTH

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 5.7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.45Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

文件:364.72 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

技术参数

  • Ids [A] 25°C:

    6.0

  • Vgs(th) [Max V]:

    4.0

  • Rds(on) [Ohm Max] at Vgs=10V:

    1.45

  • Qg[nC]:

    1.22

  • Option:

    19.4

  • Package:

    B-ver.

  • Datasheet:

    TO-220F

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO-220F
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更多MDF6N65B供应商 更新时间2025-10-7 11:00:00