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MDI6N65B

N-Channel MOSFET 650V, 5.7A, 1.45(ohm)

文件:935.49 Kbytes 页数:6 Pages

MGCHIP

MDI6N65BTH

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 5.7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.45Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

文件:364.72 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

MDI6N65BTH

N-Channel MOSFET 650V, 5.7A, 1.45(ohm)

文件:935.49 Kbytes 页数:6 Pages

MGCHIP

MDI6N65BTH

650V N-Ch MOSFET

MagnaChip

美格纳

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更多MDI6N65B供应商 更新时间2025-10-11 16:50:00